Моя заявка (0)

FDB20N50F, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

FDB20N50F, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001644701
Артикул
FDB20N50F
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.5
Длина
10.67 mm
Серия
FDB20N50F
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 597 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор UF 500V 260MOHM F D2PAK

Технические параметры

Вес, г0.5
Длина10.67 mm
СерияFDB20N50F
Channel TypeN Channel
Высота4.83 mm
КорпусTO-263
Ширина9.65 mm
Power Dissipation250Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада60 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора50 nC
Время нарастания120 ns
Drain Source On State Resistance0.22Ом
Линейка ПродукцииUniFET FRFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока20А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности250 W
Id - непрерывный ток утечки20 A
Коммерческое обозначениеUniFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds500В
Размер фабричной упаковки800
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении45 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.22Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.25 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.22 Ом

Техническая документация