FDB15N50, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 11А, 300Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059285396
- Артикул
- FDB15N50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- UniFET
Цена по запросу
(от 496,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5.4 ns |
| Вес, г | 2.34 |
| Technology: | Si |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | FDB15N50_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |