UniFET Type N-Channel MOSFET, 15 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB15N50
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050364014
- Артикул
- FDB15N50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- UniFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор UniFET™, Fairchild Semiconductor: МОП-транзистор UniFET™ - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную производительность переключения и более высокую лавинообразную энергетическую мощность. Кроме того, внутренний электростатический диод затвор-исток позволяет МОП-транзистору UniFET-II™ выдерживать перенапряжение более 2000 В HBM. МОП-транзисторы UniFET™ подxодят для применения в импульсныx преобразователяx мощности, такиx как коррекция коэффициента мощности (PFC), питание телевизоров с плоскими дисплеями (FPD), ATX (расширенная теxнология Advanced Technology) и электронные ламповые балласты.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5.4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | FDB15N50_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -30 V, +30 V |