FDB12N50TM, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017549874
- Артикул
- FDB12N50TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDB12N50TM
- Fall Time:
- 35 ns
- Rise Time:
- 60 ns
Цена по запросу
(от 214,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDB12N50TM |
| Fall Time: | 35 ns |
| Rise Time: | 60 ns |
| Вес, г | 1.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 165 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 165 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |