FDB120N10, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073173830
- Артикул
- FDB120N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- Power Trench MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrenchВ®
- Series:
- FDB120N10
Цена по запросу
(от 690 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type: | Power Trench MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Series: | FDB120N10 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 105 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 1.5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 86 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 74A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Power Dissipation (Max) | 170W(Tc) |
| Supplier Device Package | DВІPAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Id - Continuous Drain Current: | 74 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 105 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.7 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5605pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 74A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |