Моя заявка (0)

FDB110N15A, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

FDB110N15A, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8585374552
Артикул
FDB110N15A
Бренд
ON Semiconductor***
Width
9.65mm
Series
PowerTrench
Pin Count
3
Вес, г
1.723
Цена по запросу
(от 875 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Width9.65mm
SeriesPowerTrench
Pin Count3
Вес, г1.723
Длина10.67 mm
СерияFDB110N15A
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота4.83 mm
КорпусTO-263
Ширина9.65 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада14 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation234 W
Typical Gate Charge @ Vgs47 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора47 nC
Maximum Drain Source Resistance11 mΩ
Время нарастания26 ns
Maximum Continuous Drain Current92 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности234 W
Id - непрерывный ток утечки92 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9.25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.118 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00925 Ом

Техническая документация