FDB110N15A, MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833393
- Артикул
- FDB110N15A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 9.65mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.5
Цена по запросу
(от 614,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.5 |
| Длина | 10.67 mm |
| Серия | FDB110N15A |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14 ns |
| Особенности | TrenchFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 234 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
| Время нарастания | 26 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 92 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 234 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 92 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 118 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |