FDB075N15A, MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833389
- Артикул
- FDB075N15A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 9.65mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 691,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Type | Power MOSFET |
| Width | 9.65mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDB075N15A |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 37 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 26 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Range | PowerTrench |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 333(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 77 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Drain-Source On-Volt | 150(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | TO-263(D2PAK) |
| Power Dissipation (Pd) | 333W |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Continuous Drain Current | 130(A) |
| Drain Source Voltage Vds | 150V |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 100nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 130A |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.35nF@75V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 130A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 130 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 164 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.25 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 333 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |