Моя заявка (0)

FDB070AN06A0-F085, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

FDB070AN06A0-F085, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049797205
Артикул
FDB070AN06A0-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 470 ₽)
Минимальный заказ: 187 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 80A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

TabTab
PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.65(Max)
Package Length10.67(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)35
Typical Rise Time (ns)159
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)175000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)51
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)51@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)12
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)27
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)80
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)3000@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)7@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация