FDB060AN08A0, MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007174996
- Артикул
- FDB060AN08A0
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 9
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 255Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 567 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 9 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 255Вт |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 255W |
| Особенности | TrenchFET |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 95nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.15nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A;80A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0048Ом |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 255Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0048Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 255 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |