FDB050AN06A0, Транзистор N-MOSFET 60В 18A/80A [D2-PAK]
![FDB050AN06A0, Транзистор N-MOSFET 60В 18A/80A [D2-PAK]](https://static.epl-electro.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000568546
- Артикул
- FDB050AN06A0
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- низковольтные mosfets для сильноточных применений
- Пороговое напряжение на затворе
- 2…4
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 245 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |