Моя заявка (0)

FDB050AN06A0, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

FDB050AN06A0, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001663583
Артикул
FDB050AN06A0
Бренд
ON Semiconductor***
Width
9.65mm
Series
PowerTrench
Pin Count
3
Вес, г
2.5
Цена по запросу
(от 415 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.

Технические параметры

Width9.65mm
SeriesPowerTrench
Pin Count3
Вес, г2.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK(TO-263)
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation245Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation245 W
Typical Gate Charge @ Vgs61 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance11 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0043Ом
Maximum Continuous Drain Current80 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока80А
Рассеиваемая Мощность245Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0043Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт245
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0043 Ом

Техническая документация