FDB045AN08A0, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 90А, 310Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022102597
- Артикул
- FDB045AN08A0
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDB045AN08A0
- Fall Time:
- 45 ns
- Rise Time:
- 88 ns
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 90А, 310Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDB045AN08A0 |
| Fall Time: | 45 ns |
| Rise Time: | 88 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-3 |
| Part # Aliases: | FDB045AN08A0_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 138 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 310W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 138nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.6nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 19A;90A |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5mΩ@80A, 10V |