Моя заявка (0)
FDB024N08BL7, MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833378
Артикул
FDB024N08BL7
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDB024N08BL7
Fall Time:
41 ns
Rise Time:
66 ns
Цена по запросу
(от 543,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDB024N08BL7
Fall Time:41 ns
Rise Time:66 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г1.6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:137 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:246 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:47 ns
Typical Turn-Off Delay Time:41 ns
Id - Continuous Drain Current:229 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:227 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация