FDB0190N807L, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046373840
- Артикул
- FDB0190N807L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Version
- N channel
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- D2PAK-7L
- Power loss
- 250 W
Цена по запросу
(от 851,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор, FDB0190N807L, НА полупроводнике Особенности Максимальное значение RDSon = 1,7 Мом при VHGS= 10 В, ID= 34 А Быстрое переключение; Низкий уровень заряда затвора, Высокая мощность и возможность управления током
Технические параметры
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | D2PAK-7L |
| Power loss | 250 W |
| Вес, г | 1.5 |
| Max. current | 270 A |
| max. Voltage | 80 V |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.78x10<sup>-7</sup> C |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 1.7 mΩ |