Моя заявка (0)

FDB0170N607L, 60V 300A 1.1mOhm@10V,39A 4V@250uA N Channel D2PAK-7 MOSFETs

FDB0170N607L, 60V 300A 1.1mOhm@10V,39A 4V@250uA N Channel D2PAK-7 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038928269
Артикул
FDB0170N607L
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
37 ns
Rise Time:
64 ns
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 485,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:37 ns
Rise Time:64 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:173 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенностинизковольтные mosfets для сильноточных применений
Pd - Power Dissipation:3.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:61 ns
Typical Turn-Off Delay Time:83 ns
Id - Continuous Drain Current:300 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:159 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе4V@5mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.1мОм

Техническая документация