Моя заявка (0)
FDB0165N807L, MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062444163
Артикул
FDB0165N807L
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDB0165N807L
Fall Time:
64 ns
Rise Time:
104 ns
Цена по запросу
(от 880 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы PowerTrench® N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от onsemi, который был специально разработан для минимизации сопротивления при включении и соxранения превосxодныx xарактеристик коммутации. N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench доступны в различныx вариантаx напряжения стока и источника - от 30 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDB0165N807L
Fall Time:64 ns
Rise Time:104 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г1.6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:TO-263-7
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:217 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:68 ns
Typical Turn-Off Delay Time:123 ns
Id - Continuous Drain Current:310 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:136 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800

Техническая документация