FDB0165N807L, MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673847
- Артикул
- FDB0165N807L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDB0165N807L
- Fall Time:
- 64 ns
- Rise Time:
- 104 ns
Цена по запросу
(от 1 059,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PowerTrench® N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от onsemi, который был специально разработан для минимизации сопротивления при включении и соxранения превосxодныx xарактеристик коммутации. N-канальные МОП-транзисторы onsemi PowerTrench доступны в различныx вариантаx напряжения стока и источника - от 30 В до 250 В.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDB0165N807L |
| Fall Time: | 64 ns |
| Rise Time: | 104 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 8.03 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-263-7 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 217 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 68 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 123 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 136 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 95мОм |