Моя заявка (0)
FDA69N25, MOSFETs 250V N-Channel MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833371
Артикул
FDA69N25
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDA69N25
Fall Time:
220 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 651 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDA69N25
Fall Time:220 ns
Packaging:Tube
Rise Time:885 ns
Вес, г4.6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-3PN-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:100 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:480 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:95 ns
Typical Turn-Off Delay Time:130 ns
Id - Continuous Drain Current:69 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:41 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе-40 V, +40 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация