FDA59N30, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 35А, Idm: 236А, 500Вт, TO3PN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007228407
- Артикул
- FDA59N30
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
- Packaging
- Rail/Tube
Цена по запросу
(от 600,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 35А, Idm: 236А, 500Вт, TO3PN Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 5.2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TO-3P |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 500(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Drain-Source On-Volt | 300(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500W |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 59(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 100nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.67nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 59A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| кол-во в упаковке | 30 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Крутизна характеристики, S | 52 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 56mΩ@10V, 29.5A |