Моя заявка (0)
FDA38N30, MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833368
Артикул
FDA38N30
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 529 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-CH, 300 В, 38 А, TO-3PN-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:38 А; Напряжение источника стока Vds: 300 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,07 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 312 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-204AA; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г238
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-3P
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-3P
Process TechnologyUniFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)54
Typical Rise Time (ns)110
Особенности-
Maximum Power Dissipation312 W
Number of Elements per Chip1
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Power Dissipation (mW)312000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)60
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)60@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)53
Maximum Drain Source Voltage (V)300
Typical Turn-Off Delay Time (ns)118
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)38
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2600@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)85@10V
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация