FDA28N50F, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017549886
- Артикул
- FDA28N50F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5mm
- Series
- UniFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 7.23
Цена по запросу
(от 823 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 7.23 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 175 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Крутизна характеристики, S | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |