FDA28N50, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017564265
- Артикул
- FDA28N50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Длина
- 16.2 mm
- Серия
- FDA28N50
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 461,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UniFET 500V
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Длина | 16.2 mm |
| Серия | FDA28N50 |
| Channel Type | N Channel |
| Высота | 20.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 310Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 110 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 105 nC |
| Время нарастания | 126 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.122Ом |
| Линейка Продукции | UniFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 28А |
| Рассеиваемая Мощность | 310Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 310 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Коммерческое обозначение | UniFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PN |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 155 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 210 ns |
| Типичное время задержки при включении | 56 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.122Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |