FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
![FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]](https://static.epl-electro.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000283736
- Артикул
- FDA24N50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 6.5
- Корпус
- TO-3PN
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Цена по запросу
(от 561 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-CH, 500 В, 24 А, TO-3PN-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 24 А; Напряжение источника стока Vds: 500 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,16 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 270 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-3PN; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Вес, г | 6.5 |
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 270 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/12А, 10В |