FDA18N50, Транзистор: N-MOSFET
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017549287
- Артикул
- FDA18N50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 6.4
- Структура
- MOSFET
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 303,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
500 В 19A 239 Вт 265 Мом при 10 В, 9,5 А 5 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-3P ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 6.4 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 239W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.86nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 19A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 239 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 265mΩ@10V, 9.5A |