FDA16N50-F109, MOSFETs 500V 16.5A NCH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833360
- Артикул
- FDA16N50-F109
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 6
- Длина
- 16.2 mm
- Серия
- FDA16N50_F109
- Высота
- 20.1 mm
Цена по запросу
(от 376,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 500V 16.5A NCH
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Длина | 16.2 mm |
| Серия | FDA16N50_F109 |
| Высота | 20.1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 80 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Время нарастания | 150 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 205 W |
| Другие названия товара № | FDA16N50_F109 |
| Id - непрерывный ток утечки | 16.5 A |
| Коммерческое обозначение | UniFET |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |