FDA032N08, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022225447
- Артикул
- FDA032N08
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO3PN
- Type
- null
- Mounting
- THT
- Technology
- PowerTrench®
Цена по запросу
(от 435,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
75 В 120 А 3.2mOhm@75A,10В 375 Вт 4.5V@250uA Полевые транзисторы null TO-3PN соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Type | null |
| Mounting | THT |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 5 |
| Gate charge | 0.22µC |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 120A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 37.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 3.2mΩ |
| Drain-source voltage | 70V |
| Pulsed drain current | 940A |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 375W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 220nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 15.16nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.2mΩ@75A, 10V |