FCX690BTA, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 2А, 1Вт, SOT89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026968163
- Артикул
- FCX690BTA
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 2А, 1Вт, SOT89 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | FCX69 |
| Power - Max | 2W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-89 |
| REACH Status | REACH Affected |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT89 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | FCX690 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Minimum DC Current Gain | 500 |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 45 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Maximum Collector Base Voltage | 45 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 1A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |