Моя заявка (0)
FCX688BTA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841653
Артикул
FCX688BTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
FCX68
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 126 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:FCX68
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)3A
Power Dissipation (Pd)2W
Pd - Power Dissipation:2 W
Transition Frequency (fT)150MHz
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)500@100mA, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:12 V
Continuous Collector Current:3 A
Maximum DC Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:12 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)12V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@4A, 50mA

Техническая документация