FCX619TA, Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001039941
- Артикул
- FCX619TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- No
- Type
- NPN
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 720 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000 МВт 4-контактный(3+вкладки) SOT-89 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | FCX61 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Affected |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Структура | npn |
| Base Product Number | FCX619 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 165MHz |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Minimum DC Current Gain | 200 10mA 2V|300 200mA 2V|200 1A 2V|100 2A 2V |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Base Current (A) | 0.5 |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 100mA, 2.75A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 165(Typ) |
| Частота Перехода ft | 165МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1 100mA 2.75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 165 MHz |