Моя заявка (0)

FCX617TA, 100nA 15V 2W 150@5A,2V 3A 120MHz 150mV@3A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

FCX617TA, 100nA 15V 2W 150@5A,2V 3A 120MHz 150mV@3A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017601969
Артикул
FCX617TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.22
Длина
4.5 mm
Серия
FCX61
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation

Технические параметры

Вес, г0.22
Длина4.5 mm
СерияFCX61
Высота1.5 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.5 mm
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)15 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.15 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц120
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 200 at 3
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz

Техническая документация