FCX555TA, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029043448
- Артикул
- FCX555TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT89
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- FCX55
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 102,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | SOT89 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | FCX55 |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 100MHz |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Current gain | 100…300 |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | bipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-89-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | PNP |
| Collector current | 0.7A |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Type of transistor | PNP |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Current (Ic) | 700mA |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Collector-emitter voltage | 150V |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 5V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Maximum DC Collector Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 180V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@250mA, 25mA |