FCX491ATA, Trans GP BJT NPN 40V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052479474
- Артикул
- FCX491ATA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- Type
- NPN
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| Type | NPN |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | FCX49 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-89 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 2.6(Max) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Package Height | 1.6(Max) |
| Package Length | 4.6(Max) |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Структура | npn |
| Base Product Number | FCX491 -> |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Pd - Power Dissipation | 1W |
| Minimum DC Current Gain | 300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V|35@2A@5V |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 5V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@100mA@1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@50mA@500mA|0.5@100mA@1A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |