Моя заявка (0)
FCX1149ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004585510
Артикул
FCX1149ATA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Длина
4.6 mm (Max)
Серия
FCX11
Высота
1.6 mm (Max)
Цена по запросу
(от 105,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Low Saturation

Технические параметры

Вес, г1
Длина4.6 mm (Max)
СерияFCX11
Высота1.6 mm (Max)
Ширина2.6 mm (Max)
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)3A
Power Dissipation (Pd)2W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)135MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)250@500mA, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)25V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)350mV@140mA, 4A
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.25 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер230 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.270
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 150 at
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)135 MHz