FCPF650N80Z, MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8035694647
- Артикул
- FCPF650N80Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.27
- Длина
- 10.36 mm
- Серия
- FCPF650N80Z
- Высота
- 16.07 mm
Цена по запросу
(от 382,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SF2 800V 650MOHM E TO220F
Технические параметры
| Вес, г | 2.27 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FCPF650N80Z |
| Высота | 16.07 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 3.4 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor/Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Время нарастания | 11 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 30.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4.5 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 650 mOhms |