FCPF400N80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 6,9А, 35,7Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021864752
- Артикул
- FCPF400N80Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.9mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- SuperFET II
- Series:
- FCPF400N80Z
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой FCPF400N80Z от производителя ONSEMI является высококачественным N-MOSFET элементом с монтажом THT. Он имеет максимальный ток стока 11 А и напряжение сток-исток 800 В, что обеспечивает надежный контроль нагрузки в различных электронных устройствах. Мощность транзистора составляет 35,7 Вт, а корпус TO220F обеспечивает удобную интеграцию в печатные платы. Транзистор FCPF400N80Z идеально подходит для использования в источниках питания, инверторах и других устройствах, требующих эффективного управления мощностью. Код товара FCPF400N80Z гарантирует легкий поиск и заказ данного компонента в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 35.7 Корпус TO220F
Технические параметры
| Width | 4.9mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | SuperFET II |
| Series: | FCPF400N80Z |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 34 ns |
| Tradename: | SuperFET II |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 2.27 |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 35.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 35.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 112 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 340 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |