Моя заявка (0)

FCPF360N65S3R0L, Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

FCPF360N65S3R0L, Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002327965
Артикул
FCPF360N65S3R0L
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 330 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 650V 10A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для подключения к трубке 220FP

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Package Width4.6(Max)mm
Package Length10.3(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220FP
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)10
Typical Rise Time (ns)11
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)27000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)18
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)18@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)12
Maximum Drain Source Voltage (V)650
Typical Turn-Off Delay Time (ns)34
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)10
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)730@400V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)360@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация