Моя заявка (0)
FCPF290N80, MOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673842
Артикул
FCPF290N80
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FCPF290N80
Fall Time:
2.6 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 814 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FCPF290N80
Fall Time:2.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14 ns
Tradename:SuperFET II
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Вес, кг7.48
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:58 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:44 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:61 ns
Id - Continuous Drain Current:17 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:290 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)290 мОм

Техническая документация