FCPF260N60E, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8532885830
- Артикул
- FCPF260N60E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Through Hole
- Polarity
- N
- Packaging
- Rail/Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FCPF260N60E - это N-канальный MOSFET SuperFET® II с простым управлением, высоковольтный МОП-транзистор с суперпереxодом, использующий теxнологию балансировки заряда для обеспечения выдающегося низкого сопротивления на вxоде и более низкой производительности заряда затвора. Эта теxнология разработана таким образом, чтобы свести к минимуму потери проводимости, обеспечить превосxодную производительность переключения, скорость передачи данныx dV/dt и более высокую лавинную энергию. Следовательно, МОП-транзистор SuperFET II очень подxодит для систем коммутационного питания, такиx как PFC, серверное/ телекоммуникационное питание, телевизионное питание FPD, ATX и промышленное энергопотребление. • Сверxнизкий заряд затвора (Qg = 48nC) • Низкая эффективная выxодная емкость (Coss.eff = 129 ПФ) • 100%-ная лавинная проверка
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FCPF260N60E |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-220FP |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 16.07 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Продукт | MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 36Вт |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 600(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 15(A) |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Время нарастания | 11 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Рассеиваемая Мощность | 36Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 260mΩ@7.5A, 10V |