Моя заявка (0)
FCPF260N60E, MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833340
Артикул
FCPF260N60E
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Mounting
Through Hole
Polarity
N
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 407,57 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic

Технические параметры

TypePower MOSFET
MountingThrough Hole
PolarityN
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г817
Длина10.36 mm
СерияFCPF260N60E
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220FP
Rad HardenedNo
Высота16.07 mm
Ширина4.9 mm
ПродуктMOSFET
УпаковкаTube
Power Dissipation36Вт
Number of Elements1
СтруктураMOSFET
Drain-Source On-Volt600(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Continuous Drain Current15(A)
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Gate-Source Voltage (Max)±20(V)
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220FP-3
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора48 nC
Время нарастания11 ns
Drain Source On State Resistance0.22Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Operating Temperature ClassificationMilitary
Непрерывный Ток Стока15А
Рассеиваемая Мощность36Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности36 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Коммерческое обозначениеSuperFET II
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220F
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения13 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.22Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.15.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт156
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация