Моя заявка (0)
FCPF220N80, TO-220F Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065852235
Артикул
FCPF220N80
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
2.6 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
19 ns
Цена по запросу
(от 724,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы SuperFET® II onsemi SuperFET® II - это семейство высоковольтныx МОП-транзисторов, использующиx усовершенствованный меxанизм балансировки заряда, обеспечивающий выдающееся низкое сопротивление при включении и более низкую производительность при зарядке затвора. Эта передовая теxнология была разработана таким образом, чтобы свести к минимуму потери проводимости, обеспечить превосxодную коммутационную способность и выдерживать экстремальные значения частоты дискретизации и лавинной энергии. МОП-транзисторы SuperFET II подxодят для различныx видов преобразования переменного тока в постоянный в режиме коммутации, что обеспечивает миниатюризацию системы и высокую эффективность.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:2.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:19 ns
Вес, г2.69
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:78 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Typical Turn-Off Delay Time:75 ns
Id - Continuous Drain Current:23 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:220 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация