FCPF20N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 39Вт; TO220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062038267
- Артикул
- FCPF20N60
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 4.7 mm
Цена по запросу
(от 626,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; Idm: 60А; 39Вт; TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.7 mm |
| Height | 16.3 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | FCPF20N60 |
| Fall Time | 65 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 140 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2.2 |
| Unit Weight | 0.080072 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 39 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 230 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 17 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |