Моя заявка (0)

FCPF190N60E,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Through Hole

FCPF190N60E,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8307886199
Артикул
FCPF190N60E
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FCPF190N60E
Fall Time:
40 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 732 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FCPF190N60E
Fall Time:40 ns
Packaging:Tube
Rise Time:38 ns
Tradename:SuperFET II
Вес, г22.68
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:82 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:39 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:56 ns
Typical Turn-Off Delay Time:212 ns
Id - Continuous Drain Current:20.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:190 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.16 Ом

Техническая документация