FCPF190N60, 600V 20.2A 39W 199mOhm@10V,10A 3.5V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8062116282
Артикул: FCPF190N60
Бренд: ON Semiconductor***
Series: SuperFET II
Pin Count: 3
Вес, г: 2.55
Длина: 10.36 mm

Datasheet FCPF190N60pdf, 813 КБ Техническая информацияpdf, 650 КБ

Цена по запросу

(от 490,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SuperFET2, 190mohm

Технические параметры

Series	SuperFET II
Pin Count	3
Вес, г	2.55
Длина	10.36 mm
Серия	FCPF190N60
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Package Type	TO-220F
Высота	16.07 mm
Ширина	4.9 mm
Mounting Type	Through Hole
Упаковка	Tube
Transistor Material	Si
Технология	Si
Вид монтажа	Through Hole
Тип продукта	MOSFET
Transistor Configuration	Single
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Maximum Power Dissipation	39 W
Typical Gate Charge @ Vgs	57 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip	1
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок	TO-220-3
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Канальный режим	Enhancement
Тип транзистора	1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Qg - заряд затвора	74 nC
Maximum Drain Source Resistance	170 mΩ
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Полярность транзистора	N-Channel
Pd - рассеивание мощности	39 W
Id - непрерывный ток утечки	20.2 A
Коммерческое обозначение	SuperFET II
Размер фабричной упаковки	1000
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	199 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V

Техническая документация

Datasheet FCPF190N60pdf, 813 КБ Техническая информацияpdf, 650 КБ