FCPF190N60, MOSFETs SuperFET2, 190mohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673840
- Артикул
- FCPF190N60
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- SuperFET II
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.27
- Длина
- 10.36 mm
Цена по запросу
(от 445,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SuperFET2, 190mohm
Технические параметры
| Series | SuperFET II |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.27 |
| Длина | 10.36 mm |
| Серия | FCPF190N60 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220F |
| Высота | 16.07 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 39 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor/Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Qg - заряд затвора | 74 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20.2 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 199 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V, +20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 199 mOhms |