FCPF16N60NT, Транзистор N-MOSFET 600В 16А 37.5Вт 0.199Ом [TO-220F.] [EOL]
![FCPF16N60NT, Транзистор N-MOSFET 600В 16А 37.5Вт 0.199Ом [TO-220F.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/220/DOC001220637.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000119306
- Артикул
- FCPF16N60NT
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Корпус
- TO-220F
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 13
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности. Первые представители семейства – FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N – 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной скоростью нарастания напряжения dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии. Отличительные особенности: • Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2 • dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс) • dv/dt транзистора: 100 В/нс • Лавинная энергия: 355 мДж у 199-мОм приборов; 672 мДж у 165-мОм приборов.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Корпус | TO-220F |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 13 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.199 Ом/8А, 10В |