Моя заявка (0)

FCP7N60,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Through Hole

FCP7N60,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8890932163
Артикул
FCP7N60
Бренд
ON Semiconductor***
Тип
MOSFET
Вес, г
2.03
Длина
10.67 mm
Серия
FCP7N60
Цена по запросу
(от 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V N-Channel SuperFET

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г2.03
Длина10.67 mm
СерияFCP7N60
Высота16.3 mm
КорпусTO-220AB
Ширина4.7 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада32 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания55 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Id - непрерывный ток утечки7 A
Коммерческое обозначениеSuperFET
Крутизна характеристики, S6
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток530 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения75 ns
Типичное время задержки при включении35 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.6 Ом

Техническая документация