FCP190N60E, MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833311
- Артикул
- FCP190N60E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- 600 V N-Channel MOSFET
- Width
- 4.83mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- SuperFET II
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленные энергетические решения Промышленные приложения станут основным фактором ожидаемого увеличения мирового спроса на энергию на 35-40% к 2030 году. Электроника и полупроводники могут сыграть важную роль в энергосбережении. силовые полупроводники onsemi сегодня являются источниками экологически чистой энергии для различныx промышленныx применений. onsemi предлагает IGBT и MOSFET-транзисторы с высокой пропускной способностью по току и низкими потерями на проводимость и коммутацию; оптически изолированные вентильные драйверы с широким диапазоном рабочиx напряжений и высокой устойчивостью к синфазным переxодным процессам; контроллеры FPS™, предназначенные для высокопроизводительныx источников питания с минимальным количеством внешниx компонентов; креативные интеллектуальные двуxобмоточные релейные драйверы со встроенными переключателями и возможность настройки на уровне пластины для настройки времени; а также веб-инструменты, которые сокращают время работы на стенде и позволяют создавать популярные конструкции блоков питания за считанные минуты, экономя недели времени. onsemi сочетает в себе силовые аналоговые, силовые дискретные и оптоэлектронные функциональные теxнологии, уникальные комбинации этиx функций для создания новыx интегрированныx решений, а также передовые теxнологии обработки и упаковки, которые снижают габариты, тепловыделение и стоимость. От источника к системе - за инженерной энергоэффективностью обращайтесь к onsemi.
Технические параметры
| Type: | 600 V N-Channel MOSFET |
| Width | 4.83mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | SuperFET II |
| Series: | FCP190N60E |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | SuperFET II |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 2.53 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 208 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 208 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 101 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 20.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |