Моя заявка (0)

FCP165N65S3, Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

FCP165N65S3, Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002327964
Артикул
FCP165N65S3
Бренд
ON Semiconductor***
Width
4.7mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 493 ₽)
Минимальный заказ: 166 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

Технические параметры

Width4.7mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation154 W
Typical Gate Charge @ Vgs39 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Qg - заряд затвора39 nC
Maximum Drain Source Resistance165 mΩ
Время нарастания22 ns
Maximum Continuous Drain Current19 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности154 W
Id - непрерывный ток утечки19 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток165 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения53 ns
Типичное время задержки при включении21 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.12 S

Техническая документация