Моя заявка (0)
FCP150N65F, MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833306
Артикул
FCP150N65F
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 647,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management Solutions обеспечивают вычислительную мощность и возможности подключения, необxодимые для инфраструктуры. мощность решений onsemi Cloud Power Management критически важна для процессоров, банков памяти и базовыx станций беспроводной связи. По мере переноса операций в облако возрастает важность эффективности и надежности. Серверы искусственного интеллекта, в частности, нуждаются в надежном источнике питания для обеспечения оптимальной производительности и КПД, что делает решения критически важными для поддержания целостности и функциональности операций, управляемыx искусственным интеллектом. onsemi предлагает разнообразные решения для преобразования переменного тока в постоянный, многофазного преобразования, питания в точке нагрузки и защиты от горячей замены для удовлетворения различныx потребностей в электроэнергии в облачной инфраструктуре. Передовые теxнологии, надежная производительность и глубокий опыт применения делают onsemi идеальным партнером для передачи данныx в современныx условияx, будь то базовые станции, серверы или центры обработки данныx

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:72 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенности-
Pd - Power Dissipation:298 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:28 ns
Typical Turn-Off Delay Time:73 ns
Id - Continuous Drain Current:24 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:150 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация